Panasonic Fast Recovery Diodes MA3DF40 Specifications

Fast Recovery Diodes (FRD) 

Publication date: October 2007 

SKJ00021AED 

1

This product complies with RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

MA3DF40

Silicon Mesa type

For high frequency rectification

For plasma display panel drive

 Features

 High switching speed t

rr

 Soft recovery

 Absolute Maximum Ratings  T

a

 = 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Repetitive peak reverse voltage

V

RRM

370

V

Non-repetitive peak reverse surge voltage

V

RSM

430

V

Forward current

T

C

 = 25°C

I

F

20

A

Non-repetitive peak forward surge current 

*

I

FSM

100

A

Junction temperature

T

j

–40 to +150

°

C

Storage temperature

T

stg

–40 to +150

°

C

Note) *: 50 Hz sine wave 1 cycle (Non-repetitive peak current)

 Electrical Characteristics  T

a

 = 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Forward voltage

V

F

I

F

 = 20 mA

1.2

1.4

V

Reverse current

I

RRM

V

RRM

 = 370 V

10

m

A

Reverse recovery time 

*

t

rr

I

F

 = 0.5 A, I

R

 = 1.0 A

I

rr

 = 0.25 A

20

35

ns

Thermal resistance (j-a)

R

th(j-c)

3.0

°

C/W

Thermal resistance (j-c) 

R

th(j-a)

63

°

C/W

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.

2. Absolute frequency of input and output is 10 MHz.

3. *: t

rr

 measurement circuit

D.U.T

t

rr

0.25

×

I

R

I

F

I

R

50 Ω

5.5 Ω

50 Ω

 Package

Code

  TO-220D-A1 

Pin Name

  1: Anode

  2: Cathode

  3: Anode

 Marking Symbol: MA3DF40

 Intemal Connection

1

3

2