EarthWalk eBuddy Series 3 User Manual - page 77

Chapter 5: BIOS setup

eBuddy User Manual

-68-

2/4/00

DRAM Read Burst (EDO/FP)

This sets the timing for burst mode reads from two different DRAM (EDO/

FPM). Burst read and write requests are generated by the CPU in four separate 

parts. The first part provides the location within the DRAM where the read or 

write is to take place. The remaining three parts provide the actual data. The 

lower the timing numbers, the faster the system will address memory:

x222/x333

Read DRAM (EDO/FPM) timings are 2-2-2/3-3-3

x333/x444

Read DRAM (EDO/FPM) timings are 3-3-3/4-4-4

DRAM Write Burst Timing

This sets the timing for burst mode writes from DRAM. Burst read and write 

requests are generated by the CPU in four separate parts. The first part provides 

the location within the DRAM where the read or write is to take place. The 

remaining three parts provide the actual data. The lower the timing numbers, 

the faster the system will address memory:

x222

Write DRAM timings are 2-2-2-2

x333

Write DRAM timings are 3-3-3-3

Fast EDO Lead Off

The default value is Disabled.

Refresh RAS# Assertion

The options are 4 Clks or 5 Clks.

Fast RAS to CAS Delay

When DRAM is refreshed, both rows and columns are addressed separately. 

This setup item allows you to determine the timing of the transition from Row 

Address Strobe (RAS) to Column Address Strobe (CAS). Options are as fol-

lows:

3

Three CPU clock delay

2

Two CPU clock delay

ebud.book  Page 68  Friday, February 4, 2000  11:11 AM